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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT |
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Dimensions/Packaging: | SOT |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FDC6306P
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ON Semiconductor | 类似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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FDC6312P
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ON Semiconductor | 类似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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ZXM62P03E6
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
晶体管, MOSFET, P沟道, 2.6 A, -30 V, 0.11 ohm, 10 V, -1 V
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