Technical parameters/frequency: | 3 MHz |
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Technical parameters/rated voltage (DC): | 100 V |
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Technical parameters/rated current: | 6.00 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/polarity: | NPN |
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Technical parameters/dissipated power: | 65 W |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 100 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 6A |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 15 @3A, 4V |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 75 |
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Technical parameters/rated power (Max): | 2 W |
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Technical parameters/DC current gain (hFE): | 15 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -65 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 2000 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-220-3 |
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Dimensions/Length: | 10.67 mm |
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Dimensions/Width: | 4.83 mm |
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Dimensions/Height: | 16.51 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-220-3 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Rail |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with the REACH SVHC standard: | No SVHC |
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