Technical parameters/polarity: | P-CH |
|
Technical parameters/dissipated power: | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
|
Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 100 V |
|
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 40A |
|
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 2700pF @25V(Vds) |
|
Technical parameters/dissipated power (Max): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
|
Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
|
Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-262-3 |
|
Dimensions/Packaging: | TO-262-3 |
|
Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
Other/Product Lifecycle: | Active |
|
Compliant with standards/RoHS standards: |
| |
Compliant with standards/lead standards: |
|
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRF5210PBF
|
International Rectifier | 功能相似 | TO-220-3 |
P 通道功率 MOSFET 超过 8A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
|
||
IRF5210STRLPBF
|
Infineon | 功能相似 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review