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Technical parameters/rated power: | 3.8 W |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.06 Ω |
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Technical parameters/polarity: | P-CH |
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Technical parameters/dissipated power: | 3.8 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 4 V |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 100 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 100 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 38A |
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Technical parameters/rise time: | 63 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 2780pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 3.1 W |
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Technical parameters/descent time: | 55 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 3.1W (Ta), 170W (Tc) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-263-3 |
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Dimensions/Length: | 10.67 mm |
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Dimensions/Width: | 9.65 mm |
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Dimensions/Height: | 4.83 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-263-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Other/Manufacturing Applications: | Automotive, Power Management, Automotive, Power Management |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRF5210SPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
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IRF5210SPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
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IRF5210STRRPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-263-3 |
P沟道 100V 38A
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IRF5210STRRPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-263-3 |
P沟道 100V 38A
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