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Technical parameters/rated voltage (DC): | 20.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 5.10 A |
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Technical parameters/number of pins: | 6 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.045 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 2 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 850 mV |
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Technical parameters/Input capacitance: | 510pF @10V |
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Technical parameters/gate charge: | 15.0 nC |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 20 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 20 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±12.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 5.10 A |
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Technical parameters/rise time: | 12 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 750pF @10V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 500 mW |
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Technical parameters/descent time: | 20 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 500mW (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 6 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23-6 |
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Dimensions/Length: | 3.1 mm |
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Dimensions/Width: | 1.7 mm |
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Dimensions/Height: | 1 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23-6 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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