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Technical parameters/number of channels:

Technical parameters/number of pins:

Technical parameters/drain source resistance:

0.028 Ω

Technical parameters/polarity:

N-Channel

Technical parameters/dissipated power:

190 W

Technical parameters/threshold voltage:

3 V

Technical parameters/drain source voltage (Vds):

200 V

Technical parameters/Leakage source breakdown voltage:

200 V

Technical parameters/Continuous drain current (Ids):

47.0 A, 75.0 A

Technical parameters/rise time:

33 ns

Technical parameters/Input capacitance (Ciss):

3260pF @25V(Vds)

Technical parameters/rated power (Max):

190 W

Technical parameters/descent time:

29 ns

Technical parameters/operating temperature (Max):

150 ℃

Technical parameters/operating temperature (Min):

-50 ℃

Technical parameters/dissipated power (Max):

190W (Tc)

Encapsulation parameters/installation method:

Through Hole

Package parameters/number of pins:

Encapsulation parameters/Encapsulation:

TO-247-3

Dimensions/Length:

15.75 mm

Dimensions/Width:

5.15 mm

Dimensions/Height:

20.15 mm

Dimensions/Packaging:

TO-247-3

Physical parameters/operating temperature:

-50℃ ~ 150℃ (TJ)

Other/Product Lifecycle:

Active

Other/Packaging Methods:

Tube

Other/Manufacturing Applications:

Power Management, Power Management, Industrial, Industrial

Compliant with standards/RoHS standards:

RoHS Compliant

Compliant with standards/lead standards:

Lead Free

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
FQA65N20	Freescale	功能相似	TO-3-3	QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FQA65N20	Fairchild	功能相似	TO-3-3	QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FQA65N20	ON Semiconductor	功能相似	TO-3-3	QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
IRFP260NPBF	IFA	功能相似		INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP260NPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 200V, 50A, TO-247AC 新

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