Technical parameters/rated voltage (DC): | 30.0 V |
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Technical parameters/rated current: | 2.50 A |
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Technical parameters/number of pins: | 6 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.082 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel, Dual N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 960 mW |
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Technical parameters/threshold voltage: | 1.8 V |
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Technical parameters/Input capacitance: | 220 pF |
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Technical parameters/gate charge: | 2.30 nC |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 30 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 30.0 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±20.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 2.50 A |
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Technical parameters/rise time: | 10.0 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 220pF @15V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 700 mW |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 0.96 W |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 6 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TSOT-23-6 |
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Dimensions/Length: | 3 mm |
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Dimensions/Width: | 1.7 mm |
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Dimensions/Height: | 1 mm |
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Dimensions/Packaging: | TSOT-23-6 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDC6561AN_NL
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Fairchild | 功能相似 | SuperSOT |
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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SI3932DV-T1-GE3
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | TSOP-6 |
双N沟道30 V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
|
||
SI3948DV
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | SOT-163 |
双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
|
||
|
SI3948DV
|
Fairchild | 功能相似 | SSOT |
双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
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