Technical parameters/number of pins: | 4 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.22 Ω |
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Technical parameters/dissipated power: | 5 W |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 4 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-223 |
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Dimensions/Packaging: | SOT-223 |
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Other/Product Lifecycle: | Unknown |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with standard/REACH SVHC version: | 2015/12/17 |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BSP250,115
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Nexperia | 功能相似 | TO-261-4 |
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSP250,115, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
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BSP250,115
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NXP | 功能相似 | TO-261-4 |
Nexperia Si P沟道 MOSFET BSP250,115, 3 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装
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NDT452AP
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-261-4 |
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDT452AP, 5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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NDT456P
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Linear Technology | 功能相似 | SOT-223 |
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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NDT456P
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Fairchild | 功能相似 | TO-261-4 |
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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