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Model FQD630TM

Description N-channel 200V 7A

Brand: Fairchild

Packaging TO-252-3

Delivery time

Packaging method Tape & Reel (TR)

Standard packaging quantity 1

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

Inventory(7921) Minimum order quantity(1)

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Technical parameters/rated voltage (DC):	200 V
Technical parameters/rated current:	7.00 A
Technical parameters/number of channels:	1
Technical parameters/drain source resistance:	400 mΩ
Technical parameters/polarity:	N-CH
Technical parameters/dissipated power:	2.5 W
Technical parameters/drain source voltage (Vds):	200 V
Technical parameters/Leakage source breakdown voltage:	200 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids):	7.00 A
Technical parameters/rise time:	75 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss):	550pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max):	2.5 W
Technical parameters/descent time:	64 ns
Technical parameters/operating temperature (Max):	150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min):	55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max):	2.5W (Ta), 46W (Tc)
Encapsulation parameters/installation method:	Surface Mount
Package parameters/number of pins:	3
Encapsulation parameters/Encapsulation:	TO-252-3
Dimensions/Length:	6.73 mm
Dimensions/Width:	6.22 mm
Dimensions/Height:	2.39 mm
Dimensions/Packaging:	TO-252-3
Physical parameters/operating temperature:	-55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle:	Unknown
Other/Packaging Methods:	Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards:	RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards:	Lead Free
Customs information/ECCN code:	EAR99

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
BSP297	Siemens Semiconductor	功能相似	SOT-223	INFINEON BSP297 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V	PDF
BSP297	Siemens AG	功能相似		INFINEON BSP297 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V	PDF
BSP297	Infineon	功能相似	SOT-223	INFINEON BSP297 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V	PDF
FDD7N20TM	Fairchild	功能相似	TO-252-3	UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FDD7N20TM	ON Semiconductor	功能相似	TO-252-3	UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FQD7N20TM	ON Semiconductor	类似代替	TO-252-3	Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R	PDF