Chip AI consultant
Technical parameters/dissipated power: | 2.00 W |
|
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 6.90 A |
|
Package parameters/number of pins: | 8 |
|
Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT |
|
Dimensions/Packaging: | SOT |
|
Other/Product Lifecycle: | Unknown |
|
Compliant with standards/RoHS standards: | Non-Compliant |
|
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS8858CZ
|
Fairchild | 类似代替 | SOIC-8 |
PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
||
SI4542DY
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT |
Mosfet, Dual, Np, So-8
|
||
SI4542DY
|
Vishay Intertechnology | 类似代替 |
Mosfet, Dual, Np, So-8
|
|||
SI4544DY-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
|
||
|
|
VISHAY | 类似代替 | SOP |
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
|
||
STS7C4F30L
|
ST Microelectronics | 功能相似 | SOIC-8 |
N沟道30V - 0.018欧姆 - 7A SO- 8 P沟道30V - 0.070欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.018 ohm - 7A SO-8 P-CHANNEL 30V - 0.070 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ POWER MOSFET
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review