Technical parameters/rated voltage (DC): 100 V
Technical parameters/rated current: 80.0 A
Technical parameters/forward voltage: 800mV @40A
Technical parameters/forward current: 80000 mA
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 400 A
Technical parameters/forward voltage (Max): 800mV @40A
Technical parameters/forward current (Max): 40 A
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/operating temperature: 175℃ (Max)
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-247-3
External dimensions/length: 15.9 mm
External dimensions/width: 5.3 mm
External dimensions/height: 20.3 mm
External dimensions/packaging: TO-247-3
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 175℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
40CPQ100PBF
|
Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-247-3 |
40CPQ100PbF 系列 100 V 40 A 高频 肖特基整流器 - TO-247AC
|
||
40CPQ100PBF
|
Vishay Dale | 功能相似 |
40CPQ100PbF 系列 100 V 40 A 高频 肖特基整流器 - TO-247AC
|
|||
40CPQ100PBF
|
VISHAY | 功能相似 | TO-247 |
40CPQ100PbF 系列 100 V 40 A 高频 肖特基整流器 - TO-247AC
|
||
V60100PW-M3/4W
|
Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-3-3 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
|
||
V60100PW-M3/4W
|
Vishay Siliconix | 功能相似 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review