Technical parameters/frequency: 100 MHz
Technical parameters/polarity: NPN
Technical parameters/dissipated power: 1.6 W
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 20 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 3A
Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 200 @2A, 2V
Technical parameters/rated power (Max): 1.6 W
Technical parameters/dissipated power (Max): 1600 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-89-3
External dimensions/packaging: SOT-89-3
Physical parameters/operating temperature: 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS4320X
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Nexperia | 功能相似 | UPAK |
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
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PBSS4320X
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NXP | 功能相似 | SOT-89 |
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
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