Technical parameters/forward voltage: 0.5 V
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 40 V
Technical parameters/forward current: 1 A
Technical parameters/Maximum forward surge current (Ifsm): 30 A
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-213AB
External dimensions/packaging: DO-213AB
Other/Minimum Packaging: 5000
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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BYM13-40-E3/97
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | DO-213AB |
1A 至 1.5A,Vishay Semiconductor 来自 Vishay Semiconductor 的一系列肖特基整流器。 这些二极管具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常短且适用于需要快速切换和低功耗的应用。 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
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BYM13-40-E3/97
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VISHAY | 完全替代 | DO-213AB |
1A 至 1.5A,Vishay Semiconductor 来自 Vishay Semiconductor 的一系列肖特基整流器。 这些二极管具有极低的正向电压降和非常快的切换作用。 肖特基二极管的反向恢复时间非常短且适用于需要快速切换和低功耗的应用。 ### 肖特基整流器,Vishay Semiconductor
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SGL41-40-E3/96
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VISHAY | 类似代替 | DO-213AB |
VISHAY SGL41-40-E3/96 肖特基整流二极管, 1A 40V DO-213AB
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SGL41-40-E3/96
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | DO-213AB |
VISHAY SGL41-40-E3/96 肖特基整流二极管, 1A 40V DO-213AB
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SGL41-40HE3/96
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | DO-213AB |
表面贴装肖特基整流器 Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
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