Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 100
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 1.1 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23
External dimensions/length: 3 mm
External dimensions/width: 1.4 mm
External dimensions/height: 1.1 mm
External dimensions/packaging: SOT-23
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PBSS4021PT
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
PNP 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBSS4032NT,215
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Nexperia | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PBSS4032NT,215 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 180 MHz, 600 mW, 2.6 A, 100 hFE
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PBSS4032NT,215
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PBSS4032NT,215 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 180 MHz, 600 mW, 2.6 A, 100 hFE
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PBSS4041NT
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
低饱和电压 NPN 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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PBSS4041PT
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管，Nexperia
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