Technical parameters/polarity: PNP
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 30 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 800mA
Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 20000
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23
External dimensions/packaging: SOT-23
Other/Minimum Packaging: 3000
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Diodes | 类似代替 | SOT-23 |
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCV26
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Zetex | 类似代替 | SOT-23 |
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCV26
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Infineon | 类似代替 | SOT-23 |
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCV26
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Philips | 类似代替 | TO-236 |
Darlington PNP 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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MMBTA64
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ON Semiconductor | 功能相似 | SOT-23-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA64.. 双极性晶体管, PNP, -30V
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CJ | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBTA64.. 双极性晶体管, PNP, -30V
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UN2226
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Panasonic | 功能相似 | SOT-23 |
UN2226 带阻NPN三极管 30V 600mA/0.6A 4.7k SOT-23/SC-59 marking/标记 FY 用于数字电路
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