Technical parameters/power supply voltage (DC): 3.30 V, 3.60 V (max)
Technical parameters/power supply current: 180 mA
Technical parameters/clock frequency: 166MHz (max)
Technical parameters/access time: 167 µs
Technical parameters/memory capacity: 64000000 B
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 86
Encapsulation parameters/Encapsulation: TSOP
External dimensions/packaging: TSOP
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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SII | 功能相似 |
RAM， ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
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IS42S32200E-6TL
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Integrated Silicon Solution | 功能相似 | TSOP-86 |
RAM， ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
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IS42S32200E-7TL
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Integrated Silicon Solution | 功能相似 | TSOP-86 |
动态 RAM， ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
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SII | 功能相似 |
动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
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IS42S32200E-7TLI
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Integrated Silicon Solution | 功能相似 | TSOP-86 |
动态随机存取存储器 64M 2Mx32 166Mhz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
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