Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/dissipated power: 960W (Tc)
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 900 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 40A
Technical parameters/rise time: 50 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 14000pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 960 W
Technical parameters/descent time: 46 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 960W (Tc)
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-264-3
External dimensions/packaging: TO-264-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXFB44N100Q3
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IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-264-3 |
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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