Technical parameters/rated voltage (DC): 600 V
Technical parameters/rated current: 22.0 A
Technical parameters/rated power: 66 W
Technical parameters/rise time: 24.0 ns
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 600 V
Technical parameters/rated power (Max): 66 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-252-3
External dimensions/packaging: TO-252-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tube
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRG4RC20FPBF
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Infineon | 完全替代 | TO-252-3 |
IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。
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IRG4RC20FTRLPBF
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International Rectifier | 完全替代 | TO-252 |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 22A 66000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRG4RC20FTRPBF
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International Rectifier | 完全替代 | D-PAK |
IRG4RC20FTRPBF 系列 600 V 12 A N 沟道 快速 IGBT - DPAK
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IRG4RC20FTRPBF
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Infineon | 完全替代 | TO-252-3 |
IRG4RC20FTRPBF 系列 600 V 12 A N 沟道 快速 IGBT - DPAK
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