Technical parameters/rated voltage (DC): 30.0 V
Technical parameters/rated current: 4.00 A
Technical parameters/drain source resistance: 48.0 mΩ
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 2 W
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 30.0 V
Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 30.0 V
Technical parameters/breakdown voltage of gate source: ±20.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 4.00 A
Technical parameters/rise time: 14 ns
Technical parameters/descent time: 10 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 8
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-8
External dimensions/length: 5 mm
External dimensions/width: 4 mm
External dimensions/height: 1.5 mm
External dimensions/packaging: SOIC-8
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Rochester | 类似代替 | SOT |
PowerTrench® 双 P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
||
NTMD4N03R2G
|
ON Semiconductor | 类似代替 | SOIC-8 |
N 通道 MOSFET，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review