Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/threshold voltage: 2.25 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 30.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 56.0 A
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: DPAK-2
External dimensions/packaging: DPAK-2
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRFR3707ZTRPBF
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Infineon | 完全替代 | TO-252-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFR3707ZTRPBF
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International Rectifier | 完全替代 | TO-252-3 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLR8259PBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-252-3 |
INFINEON IRLR8259PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 25 V, 0.0063 ohm, 10 V, 1.9 V
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IRLR8259TRPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET 晶体管,Infineon (IR) ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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IRLR8259TRPBF
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International Rectifier | 类似代替 | TO-252-3 |
MOSFET 晶体管,Infineon (IR) ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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