Technical parameters/rated voltage (DC): 40.0 V
Technical parameters/rated current: 160 A
Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/product series: IRF2804S-7P
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 40.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 160 A
Technical parameters/rise time: 150 ns
Technical parameters/descent time: 105 ns
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263-7
External dimensions/packaging: TO-263-7
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 175℃
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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IRF2804S-7PPBF
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Infineon | 类似代替 | TO-263-7 |
INFINEON IRF2804S-7PPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 320 A, 40 V, 1.6 mohm, 10 V, 4 V
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IFC | 类似代替 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF2804STRL7PP
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Infineon | 类似代替 | TO-263-7 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRF2804STRL7PP
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International Rectifier | 类似代替 | TO-263-7 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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