Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 50 V
Technical parameters/rated power (Max): 300 mW
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 300 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 6
Encapsulation parameters/Encapsulation: TSSOP-6
External dimensions/packaging: TSSOP-6
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: lead-free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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PUMD48
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Nexperia | 完全替代 | UMT |
双电阻器双数字晶体管,Nexperia ### 数字晶体管,Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PUMD48
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NXP | 完全替代 | SOT-363 |
双电阻器双数字晶体管,Nexperia ### 数字晶体管,Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PUMD48,115
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Nexperia | 类似代替 | SOT-363-6 |
NXP PUMD48,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363
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PUMD48,165
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Nexperia | 完全替代 | TSSOP-6 |
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 100mA 50V
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