Technical parameters/polarity: N-CH
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 30 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 55A
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-252
External dimensions/packaging: TO-252
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: Exempt
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standards/REACH SVHC standards: No SVHC
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FDD6680AS
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Fairchild | 功能相似 | TO-252-3 |
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDD6680AS
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ON Semiconductor | 功能相似 | TO-252-3 |
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDD6680S_NL
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Fairchild | 功能相似 | TO-252 |
30V N-Channel PowerTrench SyncFET
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