Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 200
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 2 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-223
External dimensions/length: 6.55 mm
External dimensions/width: 3.55 mm
External dimensions/height: 1.65 mm
External dimensions/packaging: SOT-223
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Siemens Semiconductor | 功能相似 |
NPN Silicon AF Power Transistors (For AF drivers and output stages High collector current High current gain)
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PBSS4350Z,135
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NXP | 功能相似 | TO-261-4 |
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
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PBSS4350Z,135
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Nexperia | 功能相似 | TO-261-4 |
低饱和电压 NPN 晶体管,Nexperia 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极晶体管,Nexperia
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