Technical parameters/rated voltage (DC): 30.0 V
Technical parameters/rated current: 6.30 A
Technical parameters/number of pins: 6
Technical parameters/drain source resistance: 0.021 Ω
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 1.6 W
Technical parameters/threshold voltage: 1.9 V
Technical parameters/input capacitance: 570 pF
Technical parameters/gate charge: 10.0 nC
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 30 V
Technical parameters/leakage source breakdown voltage: 30.0 V
Technical parameters/breakdown voltage of gate source: ±20.0 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 6.30 A
Technical parameters/rise time: 4 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 570pF @15V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 800 mW
Technical parameters/descent time: 3 ns
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 1.6 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 6
Encapsulation parameters/Encapsulation: TSOT-23-6
External dimensions/length: 3 mm
External dimensions/width: 1.7 mm
External dimensions/height: 1 mm
External dimensions/packaging: TSOT-23-6
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standards/REACH SVHC standards: No SVHC
Compliant with standard/REACH SVHC version: 2015/06/15
Customs information/ECCN code: EAR99
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDC634P
|
ON Semiconductor | 类似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC634P, 3.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
|
||
FDC637BNZ
|
Freescale | 类似代替 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
|||
FDC637BNZ
|
ON Semiconductor | 类似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
||
FDC637BNZ
|
Fairchild | 类似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
||
|
|
Rochester | 类似代替 | SSOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
|
||
FDC655BN
|
ON Semiconductor | 类似代替 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
|
||
FDC655BN
|
Fairchild | 类似代替 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
|
||
FDC658AP
|
ON Semiconductor | 类似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
|
||
FDC658AP
|
Fairchild | 类似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
|
||
|
|
Rochester | 类似代替 | SOT |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review