Technical parameters/number of pins: 3
Technical parameters/polarity: PNP
Technical parameters/dissipated power: 650 mW
Technical parameters/DC current gain (hFE): 100
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-223
External dimensions/packaging: SOT-223
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Cut Tape (CT)
Other/Manufacturing Applications: Power Management, Industrial
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
Compliant with standards/REACH SVHC standards: No SVHC
Compliant with standard/REACH SVHC version: 2015/12/17
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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Philips | 功能相似 | SOT-223 |
小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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Philips | 功能相似 | SOT-223 |
小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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CJ | 功能相似 | SOT-223 |
小信号 PNP 晶体管，40 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BCP51-16,115
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Nexperia | 功能相似 | TO-261-4 |
NXP BCP51-16,115 单晶体管 双极, PNP, -45 V, 145 MHz, 650 mW, -1 A, 100 hFE
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Infineon | 功能相似 | SOT-223 |
SOT-223 PNP 45V 1A
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BCP51TA
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Diodes Zetex | 功能相似 | SOT-223 |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R; 1K
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