Technical parameters/power supply current: 1.9 mA
Technical parameters/operating temperature (Max): 85 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Technical parameters/power supply voltage (Max): 44 V
Technical parameters/power supply voltage (Min): 3 V
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOIC-8
External dimensions/packaging: SOIC-8
Other/Product Lifecycle: Unknown
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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MC33071ADG
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ON Semiconductor | 完全替代 | SOIC-8 |
ON SEMICONDUCTOR MC33071ADG 运算放大器, 单路, 4.5 MHz, 1个放大器, 13 V/µs, 3V 至 44V, SOIC, 8 引脚
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MC33071DG
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ON Semiconductor | 完全替代 | SOIC-8 |
MC33071/2/4、MC34071/2/4、NCV33072/4、单电源 3 V 至 44 V、运算放大器，ON Semiconductor ON Semiconductor MC33071/72/74、MC34071/72/74、NCV33072/74A 系列运算放大器提供单路、双路和四路配置。 它们提供 4.5 MHz 增益带宽产品、13 V/μs 转换速率和快速设置时间，无需使用 JFET 设备技术。 此系列可从分离式电源操作，但适用于单电源操作，因为共模输入电压范围包括接地电位 (VEE)。 这些运算放大器具有高输入阻抗、低输入偏置电压和高增益。所有变体提供塑料 DIP、SOIC 和 TSSOP 表面安装封装。 快速设置时间：1.1 μs 至 0.1% 宽单电源工作：3 V 至 44 V 宽输入共模电压范围：包括接地 (VEE) 低输入偏置电压：3 mV 最大（以 "A" 结尾） 大输出电压摆幅：-14.7 V 至 +14 V（带 ±15 V 电源） 大电容驱动能力：0 pF 至 10000 pF 低总谐波畸变：0.02% 极佳的相位裕度：60° 极好的增益裕度：12 dB 输出短路保护 ### 运算放大器，ON Semiconductor
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MC33071DR2
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ON Semiconductor | 功能相似 | SOIC-8 |
MOT# MC33071DR2 Amplifiers- Operational 8Pin SOIC
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MC33071DR2G
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ON Semiconductor | 完全替代 | SOIC-8 |
MC33071/2/4、MC34071/2/4、NCV33072/4、单电源 3 V 至 44 V、运算放大器，ON Semiconductor ON Semiconductor MC33071/72/74、MC34071/72/74、NCV33072/74A 系列运算放大器提供单路、双路和四路配置。 它们提供 4.5 MHz 增益带宽产品、13 V/μs 转换速率和快速设置时间，无需使用 JFET 设备技术。 此系列可从分离式电源操作，但适用于单电源操作，因为共模输入电压范围包括接地电位 (VEE)。 这些运算放大器具有高输入阻抗、低输入偏置电压和高增益。所有变体提供塑料 DIP、SOIC 和 TSSOP 表面安装封装。 快速设置时间：1.1 μs 至 0.1% 宽单电源工作：3 V 至 44 V 宽输入共模电压范围：包括接地 (VEE) 低输入偏置电压：3 mV 最大（以 "A" 结尾） 大输出电压摆幅：-14.7 V 至 +14 V（带 ±15 V 电源） 大电容驱动能力：0 pF 至 10000 pF 低总谐波畸变：0.02% 极佳的相位裕度：60° 极好的增益裕度：12 dB 输出短路保护 ### 运算放大器，ON Semiconductor
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