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Model FCA20N60_F109

Description 600V NChannel MOSFET 600V N-Channel MOSFET

Brand: Fairchild

Packaging TO-3-3

Delivery time

Packaging method Tube

Standard packaging quantity 1

5+:

$ 24.9818

50+:

$ 23.9142

200+:

$ 23.3164

500+:

$ 23.1669

1000+:

$ 23.0175

2500+:

$ 22.8466

5000+:

$ 22.7399

7500+:

$ 22.6331

Price	$ 24.9818	$ 23.9142	$ 23.3164	$ 23.1669	$ 23.0175
Start batch production	5+	50+	200+	500+	1000+

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

Inventory(6779) Minimum order quantity(5)

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Selection Manual
Adapter model (0)

Technical parameters/polarity: N-CH

Technical parameters/dissipated power: 208 W

Technical parameters/drain source voltage (Vds): 600 V

Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 20A

Technical parameters/rise time: 140 ns

Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 3080pF @25V(Vds)

Technical parameters/rated power (Max): 208 W

Technical parameters/descent time: 65 ns

Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃

Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃

Technical parameters/dissipated power (Max): 208W (Tc)

Encapsulation parameters/installation method: Through Hole

Package parameters/number of pins: 3

Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-3-3

External dimensions/height: 18.9 mm

External dimensions/packaging: TO-3-3

Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

Other/Product Lifecycle: Not Recommended for New Designs

Other/Packaging Methods: Tube

Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant

Compliant with standards/lead standards: Lead Free

Customs information/ECCN code: EAR99

Alternative material

Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
FCA20N60F	ON Semiconductor	类似代替	TO-3-3	SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FCA20N60F	Fairchild	类似代替	TO-3-3	SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
FCP20N60	Fairchild	功能相似	TO-220-3	SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。