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Technical parameters/rated voltage (DC): | 600 V |
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Technical parameters/rated current: | 20.0 A |
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Technical parameters/number of pins: | 3 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.15 Ω |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 208 W |
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Technical parameters/threshold voltage: | 5 V |
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Technical parameters/Input capacitance: | 3.08 nF |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 600 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 600 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±30.0 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 20.0 A |
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Technical parameters/rise time: | 140 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 3080pF @25V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 208 W |
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Technical parameters/descent time: | 65 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 208W (Tc) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-220-3 |
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Dimensions/Length: | 10.1 mm |
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Dimensions/Width: | 4.7 mm |
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Dimensions/Height: | 9.4 mm |
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Dimensions/Packaging: | TO-220-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Not Recommended for New Designs |
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Other/Packaging Methods: | Tube |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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FCP20N60_F080
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ON Semiconductor | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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FCP20N60_F080
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Fairchild | 类似代替 | TO-220-3 |
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
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STP20NM60FD
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ST Microelectronics | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP20NM60FD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 290 mohm, 10 V, 4 V
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