Technical parameters/number of pins: 3
Technical parameters/drain source resistance: 5 Ω
Technical parameters/dissipated power: 200 mW
Technical parameters/threshold voltage: 2.5 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 60 V
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 50pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max): 200 mW
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 200mW (Ta)
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-23-3
External dimensions/packaging: SOT-23-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Other/Manufacturing Applications: Industrial, power management
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: lead-free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2D-8
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Fairchild | 功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB,
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Diotec Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-3(TO-236) |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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UTC | 类似代替 | SOT-23-3 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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ZSKY | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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KUU | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Major Brands | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Secos | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Calogic | 类似代替 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Fairchild | 类似代替 | SOT-23-3 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-3 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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NTE Electronics | 类似代替 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Supertex | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Nexperia | 类似代替 | SOT-23-3 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Central Semiconductor | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Kexin | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Taitron | 类似代替 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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ST Microelectronics | 类似代替 | SOT-23-3 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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Chenmko | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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TI | 类似代替 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002
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VISHAY | 类似代替 | SOT-23 |
2N7002 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 SOT-23
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2N7002L
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-3 |
小信号MOSFET 60 V 115 mA时, N沟道SOT- 23 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
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2N7002L
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Fairchild | 类似代替 | SOT-23-3 |
小信号MOSFET 60 V 115 mA时, N沟道SOT- 23 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
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2N7002L
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UTC | 类似代替 | SOT-23-3 |
小信号MOSFET 60 V 115 mA时, N沟道SOT- 23 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23
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