Technical parameters/dissipated power: 1800 mW
Technical parameters/operating temperature (Max): 200 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 1800 mW
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-206
External dimensions/height: 5.33 mm
External dimensions/packaging: TO-206
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
TT Electronics Resistors | 功能相似 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
|||
|
|
ETC1 | 功能相似 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
|||
|
|
Semelab | 功能相似 | TO-18 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
||
|
|
TT Electronics/BI | 功能相似 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
|||
|
|
Linear Technology | 功能相似 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
|||
|
|
Intersil | 功能相似 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
|||
|
|
Microchip | 功能相似 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
|||
2N4393
|
Vishay Semiconductor | 功能相似 | TO-18 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
||
2N4393
|
Motorola | 功能相似 | BCY |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
||
2N4393
|
VISHAY | 功能相似 | TO-206 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
||
2N4393
|
New Jersey Semiconductor | 功能相似 |
2N 系列 40 V 30 mA N 沟道 结场效应晶体管 - TO-18
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review