Technical parameters/working voltage: 15 V
Technical parameters/breakdown voltage: 17.6 V
Technical parameters/clamp voltage: 20.6 V
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 15V
Technical parameters/peak pulse power: 1500 W
Technical parameters/minimum reverse breakdown voltage: 17.6 V
Technical parameters/operating temperature (Max): 175 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-201AD
External dimensions/packaging: DO-201AD
Physical parameters/operating temperature: -65℃ ~ 175℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Other/Manufacturing Applications: General
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1.5KE18A
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ON Semiconductor | 类似代替 | DO-201AD |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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YENJI | 类似代替 | DO-201AD |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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JXND | 类似代替 | DO-201 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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UNI-ROYAL | 类似代替 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | Case 1.5KE |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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Multicomp | 类似代替 | DO-201 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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Diotec Semiconductor | 类似代替 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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EIC | 类似代替 | DO-201 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1.5KE18A
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Brightking | 类似代替 | DO-201 |
1500瓦Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
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1N6377G
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ON Semiconductor | 类似代替 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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1N6377G
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Littelfuse | 类似代替 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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1N6377RL4G
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ON Semiconductor | 类似代替 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向) Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
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