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Technical parameters/clamp voltage: 20.6 V
Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): 15V
Technical parameters/maximum reverse breakdown voltage: 17.6 V
Technical parameters/peak pulse power: 1500 W
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Package parameters/number of pins: 2
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-201AA
External dimensions/packaging: DO-201AA
Other/Minimum Packaging: 1400
Compliant with standards/RoHS standards: Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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1N6377-E3/54
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | DO-201AA |
Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE T/R
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1N6377-E3/73
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | DO-201AA |
Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo
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1N6377-E3/73
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VISHAY | 完全替代 | DO-201 |
Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo
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1N6377G
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ON Semiconductor | 功能相似 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1N6377G
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Littelfuse | 功能相似 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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ICTE15-E3/73
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | DO-201AA |
Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo
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ICTE15-E3/73
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VISHAY | 完全替代 | DO-201 |
Diode TVS Single Uni-Dir 15V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo
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