Technical parameters/dissipated power: 500 mW
Technical parameters/voltage regulation value: 3.6 V
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: DO-35
External dimensions/packaging: DO-35
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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1N5989B
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Microsemi | 功能相似 | DO-35-2 |
齐纳二极管 Zeners
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Central Semiconductor | 功能相似 | DO-35 |
齐纳二极管 Zeners
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1N5989B
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Fairchild | 功能相似 | DO-35 |
齐纳二极管 Zeners
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BZX55C3V6-TR
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | DO-35-2 |
500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101
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BZX55C3V6-TR
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VISHAY | 功能相似 | DO-35 |
500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor 小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101
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BZX79C3V6
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EIC | 功能相似 | DO-35 |
齐纳二极管 500mW,BZX79C 系列,Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor
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BZX79C3V6
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ON Semiconductor | 功能相似 | DO-35 |
齐纳二极管 500mW,BZX79C 系列,Fairchild Semiconductor ### 齐纳二极管,Fairchild Semiconductor
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