Technical parameters/capacitors: 4.7 µF
Technical parameters/tolerances: ±20 %
Technical parameters/rated voltage: 16 V
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 125℃
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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199D475X0016B2B1E3
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Vishay Sprague | 完全替代 |
Cap Tant Solid 4.7uF 16V 20% (5 X 7.62mm) Radial 2.54mm 125℃ T/R
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199D475X0016B2B1E3
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Vishay Semiconductor | 完全替代 |
Cap Tant Solid 4.7uF 16V 20% (5 X 7.62mm) Radial 2.54mm 125℃ T/R
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199D475X0020B2B1E3
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | Through Hole |
Cap Tant Solid 4.7uF 20V 20% (5 X 7.62mm) Radial 2.54mm 125℃ T/R
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199D475X0025B1V1E3
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VISHAY | 功能相似 | Radial |
199D 系列 Vishay 199D 将经济型和高性能完美融合于这些径向引线、固体电解质 Tantalex® 电容器中。 199D 系列电气参数稳定、可靠性高、工作寿命长;非常适用于需要高容积效率的地方。 ### 径向 85 ° C
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199D475X0025B1V1E3
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Vishay Semiconductor | 功能相似 |
199D 系列 Vishay 199D 将经济型和高性能完美融合于这些径向引线、固体电解质 Tantalex® 电容器中。 199D 系列电气参数稳定、可靠性高、工作寿命长;非常适用于需要高容积效率的地方。 ### 径向 85 ° C
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199D475X9016B1V1E3
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Vishay Sprague | 功能相似 | 0.2 in |
Capacitor; Tantalum; Cap 4.7uF; Tol 10%; Vol-Rtg 16VDC; Radial; Case B
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199D475X9016B1V1E3
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Vishay Semiconductor | 功能相似 | Radial |
Capacitor; Tantalum; Cap 4.7uF; Tol 10%; Vol-Rtg 16VDC; Radial; Case B
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199D475X9025B2B1E3
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VISHAY | 功能相似 | Radial |
199D 系列 4.7 uF 25 V ±10% 5 x 7.62 mm 径向 LS=2.54 mm 钽电容
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199D475X9025B2B1E3
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Vishay Semiconductor | 功能相似 |
199D 系列 4.7 uF 25 V ±10% 5 x 7.62 mm 径向 LS=2.54 mm 钽电容
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