Technical parameters/rated voltage (DC): 40.0 V
Technical parameters/rated current: 600 mA
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 1.5 W
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 40 V
Technical parameters/maximum allowable collector current: 0.6A
Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 100 @150mA, 10V
Technical parameters/rated power (Max): 625 mW
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Encapsulation parameters/installation method: Through Hole
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-226-3
External dimensions/length: 5.2 mm
External dimensions/width: 4.19 mm
External dimensions/height: 5.33 mm
External dimensions/packaging: TO-226-3
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Unknown
Other/Packaging Methods: Bulk
Compliant with standards/RoHS standards: Non-Compliant
Compliant with standards/lead standards: Contains Lead
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSP2222ABU
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Fairchild | 类似代替 | TO-92-3 |
小信号 NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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KSP2222ABU
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ON Semiconductor | 类似代替 | TO-226-3 |
小信号 NPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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KSP2222ATF
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Fairchild | 类似代替 | TO-226-3 |
ON Semiconductor KSP2222ATF , NPN 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
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MMBT2222AWT1G
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ON Semiconductor | 功能相似 | SC-70-3 |
NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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