Technical parameters/rated power: 113 W
Technical parameters/number of pins: 7
Technical parameters/drain source resistance: 0.065 Ω
Technical parameters/polarity: N-Channel
Technical parameters/dissipated power: 113 W
Technical parameters/threshold voltage: 2.1 V
Technical parameters/drain source voltage (Vds): 900 V
Technical parameters/Continuous drain current (Ids): 35A
Technical parameters/Input capacitance (Ciss): 660pF @600V(Vds)
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 113 W
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 7
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263-8
External dimensions/length: 10.23 mm
External dimensions/width: 10.99 mm
External dimensions/height: 4.57 mm
External dimensions/packaging: TO-263-8
Physical parameters/operating temperature: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: lead-free
Compliant with standard/REACH SVHC version: 2015/12/17
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
C3M0065090J
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CREE | 类似代替 | TO-263-8 |
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed
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C3M0065090J
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Wolfspeed | 类似代替 | TO-263-8 |
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed
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