Technical parameters/rated power: | 113 W |
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Technical parameters/polarity: | N-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 113 W |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 900 V |
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Technical parameters/rise time: | 8 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 660pF @600V(Vds) |
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Technical parameters/descent time: | 4 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 113W (Tc) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 8 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | TO-263-8 |
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Dimensions/Packaging: | TO-263-8 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Rail, Tube |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | lead-free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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C3M0065090J
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CREE | 类似代替 | TO-263-8 |
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed
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C3M0065090J
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Wolfspeed | 类似代替 | TO-263-8 |
Wolfspeed 碳化硅功率 MOSFET Wolfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。 增强模式 N 通道 SiC 技术 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V 多个设备易于并行且易于驱动 高速切换，具有低接通电阻 防闩锁操作 ### MOSFET 晶体管，Wolfspeed
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