Technical parameters/dissipated power: 500 mW
Technical parameters/voltage regulation value: 6.8 V
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Encapsulation parameters/Encapsulation: Mini-MELF
External dimensions/packaging: Mini-MELF
Other/Product Lifecycle: Active
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZV55-B6V8
|
Nexperia | 类似代替 | SOD-80 |
齐纳二极管 500mW,BZV55 系列,NXP Semiconductors NXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
|
||
|
|
General Semiconductor | 类似代替 |
齐纳二极管 500mW,BZV55 系列,NXP Semiconductors NXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
|
|||
|
|
Good-Ark Electronics | 类似代替 |
齐纳二极管 500mW,BZV55 系列,NXP Semiconductors NXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
|
|||
|
|
Fagor Electronica | 类似代替 | Mini-MELF |
齐纳二极管 500mW,BZV55 系列,NXP Semiconductors NXP 500mW 表面安装 (SMT) 齐纳二极管,具有较宽的击穿电压范围。 ### 齐纳二极管,NXP Semiconductors
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review