Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): 25
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -65 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max): 250 mW
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-236
External dimensions/length: 3 mm
External dimensions/width: 1.4 mm
External dimensions/height: 1 mm
External dimensions/packaging: TO-236
Other/Product Lifecycle: Active
Compliant with standards/RoHS standards:
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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ST Microelectronics | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BSV52
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Nexperia | 功能相似 | TO-236 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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Central Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BSV52
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BSV52,215
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Nexperia | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia BSV52,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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