Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23 |
|
Dimensions/Packaging: | SOT-23 |
|
Other/collector base reverse breakdown voltage V (BR) CBOCollector Base Voltage (VCBO): | 20V |
|
Other/collector emitter reverse breakdown voltage V (BR) CEOCluster Emiter Voltage (VCEO): | 20V |
|
Other/collector continuous output current ICCollector Current (IC): | 200mA/0.2A |
|
Other/Cut off Frequency fTTransmission Frequency (fT): | 400MHz |
|
Other/DC current gain hFEDC Current Gain (hFE): | 40~120 |
|
Other/Tube Pressure Drop VCE (sat) Collector Hermit Saturation Voltage: | 400mV/0.4V |
|
Other/dissipated power PcPower Dissipation: | 200mW/0.2W |
|
Other/Specification PDF: | __ |
|
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ST Microelectronics | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
BSV52
|
Nexperia | 功能相似 | TO-236 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
|
|
Central Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
BSV52
|
NXP | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
|
||
BSV52,215
|
Nexperia | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia BSV52,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
|
©Copyright 2013-2025 ICGOODFIND (Shenzhen) Electronics Technology Co., Ltd.
The most helpful review