Technical parameters/forward voltage: 790mV @30A
Encapsulation parameters/installation method: Surface Mount
Package parameters/number of pins: 3
Encapsulation parameters/Encapsulation: TO-263-3
External dimensions/packaging: TO-263-3
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle: Active
Other/Packaging Methods: Tape & Reel (TR)
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VB60
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Siemens Semiconductor | 功能相似 |
DIODE 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode
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VB60100C-E3/4W
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Vishay Semiconductor | 完全替代 | TO-263-3 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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VB60100C-E3/4W
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VISHAY | 完全替代 | TO-263 |
TMBS - Trench MOS 势垒肖特基整流器，30A 至 80A，Vishay Semiconductor Vishay 的 Trench MOS 势垒肖特基 (TMBS) 整流器系列包含专利 Trench 结构。 与平面肖特基整流器相比，TMBS 整流器可提供多个优势。 工作电压为 45V 及更高时平面肖特基整流器就失去了其快速转换速度的优势，且低正向压降到极度程度。 专利型 TMBS 结构通过少量缩减向漂移区域的载体注入来解决这些问题，从而最大程度减少积累电荷并提高转换速度。 专利 Trench 结构 提高交流/直流开关模式电源和直流/直流转换器的效率 高功率密度和低正向电压 ### 特点 ### 肖特基整流器，Vishay Semiconductor
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