Technical parameters/polarity: NPN
Technical parameters/dissipated power: 658 W
Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): 1200 V
Technical parameters/rated power (Max): 658 W
Technical parameters/operating temperature (Max): 150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min): -40 ℃
Package parameters/number of pins: 4
Encapsulation parameters/Encapsulation: SOT-227-4
External dimensions/packaging: SOT-227-4
Physical parameters/operating temperature: -40℃ ~ 150℃ (TJ)
Other/Product Lifecycle: Obsolete
Compliant with standards/RoHS standards: RoHS Compliant
Compliant with standards/lead standards: Lead Free
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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VS-GB90DA120U
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Vishay Semiconductor | 类似代替 | SOT-227-4 |
IGBT 模块，Vishay Vishay 的高效 IGBT 模块随附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术选项。 该系列包括单开关、逆变器、斩波器、半桥或采用自定义配置。 这些 IGBT 模块设计用于在开关模式电源、不间断电源、工业焊接、电动机驱动和功率因数校正系统中作为主切换设备。 典型应用包括：升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接（H 桥）和三相桥接。 广泛的工业标准封装类型 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE（开）IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 (Pb) 且符合 RoHS 低热阻 广泛的工作温度范围（-40 °C 至 +175 °C） ### IGBT 模块，Vishay 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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VS-GB90DA120U
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VISHAY | 类似代替 | SOT-227 |
IGBT 模块，Vishay Vishay 的高效 IGBT 模块随附 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术选项。 该系列包括单开关、逆变器、斩波器、半桥或采用自定义配置。 这些 IGBT 模块设计用于在开关模式电源、不间断电源、工业焊接、电动机驱动和功率因数校正系统中作为主切换设备。 典型应用包括：升压和降压转换器、正向和双正向转换器、半桥、全桥接（H 桥）和三相桥接。 广泛的工业标准封装类型 直接安装在散热器上 可选择 PT、NPT 和 Trench IGBT 技术 低 VCE（开）IGBT 切换频率从 1 kHz 到 150 kHz 坚固的瞬时性能 高隔离电压高达 3500 V 100 % 不含铅 (Pb) 且符合 RoHS 低热阻 广泛的工作温度范围（-40 °C 至 +175 °C） ### IGBT 模块，Vishay 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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