Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 65 mΩ |
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Technical parameters/dissipated power: | 1.8 W |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 55 V |
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Technical parameters/rise time: | 30 ns |
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Technical parameters/descent time: | 30 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | 55 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 4 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-223-3 |
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Dimensions/Length: | 6.7 mm |
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Dimensions/Width: | 3.7 mm |
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Dimensions/Height: | 1.7 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-223-3 |
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Other/Product Lifecycle: | Obsolete |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFL4105PBF
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International Rectifier | 功能相似 | TO-261-4 |
INFINEON IRFL4105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
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IRFL4105PBF
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Infineon | 功能相似 | TO-261-4 |
INFINEON IRFL4105PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 55 V, 45 mohm, 10 V, 4 V
|
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IRFL4105TRPBF
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International Rectifier | 功能相似 | TO-261-4 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFL4105TRPBF
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Infineon | 功能相似 | TO-261-4 |
HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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PHT11N06LT,135
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NXP | 类似代替 | TO-261-4 |
SC-73 N-CH 55V 10.7A
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