Technical parameters/polarity: | PNP |
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Technical parameters/dissipated power: | 200 mW |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 50 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 20mA |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 80 @5mA, 5V |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 80 |
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Technical parameters/rated power (Max): | 200 mW |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -65 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 200 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 3 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-323-3 |
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Dimensions/Width: | 1.35 mm |
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Dimensions/Height: | 1 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-323-3 |
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Physical parameters/operating temperature: | -65℃ ~ 150℃ |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PDTA115EM,315
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NXP | 功能相似 | SOT-883 |
TRANS PNP W/RES 50V SOT-883
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PDTA115EM,315
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Nexperia | 功能相似 | SOT-883 |
TRANS PNP W/RES 50V SOT-883
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Philips | 功能相似 |
双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia ### 数字晶体管,Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PDTA115ET
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NXP | 功能相似 | SOT-23 |
双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia ### 数字晶体管,Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PDTA115ET
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Nexperia | 功能相似 | SOT-23 |
双电阻器数字 PNP 晶体管,Nexperia ### 数字晶体管,Nexperia 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管,包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器,或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。
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PDTA115ET,215
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NXP | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP PDTA115ET,215 单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 250 mW, -20 mA, 80 hFE
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