Technical parameters/polarity: | NPN |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 40 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 2A |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 300 @500mA, 5V |
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Technical parameters/maximum current amplification factor (hFE): | 300 @1mA, 5V |
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Technical parameters/rated power (Max): | 900 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 6 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-563 |
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Dimensions/Packaging: | SOT-563 |
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Physical parameters/operating temperature: | 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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PBSS4240V
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Nexperia | 功能相似 | SSMini |
NPN 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
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PBSS4240V
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NXP | 功能相似 | SOT-666 |
NPN 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
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PBSS4240V
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Philips | 功能相似 |
NPN 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
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PBSS4240V,115
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Nexperia | 类似代替 | SOT-666 |
NXP PBSS4240V,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装
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PBSS4240V,115
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NXP | 类似代替 | SOT-563 |
NXP PBSS4240V,115 , NPN 晶体管, 2 A, Vce=40 V, HFE:75, 150 MHz, 6引脚 SSMini封装
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