Technical parameters/rated voltage (DC): | -20.0 V |
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Technical parameters/rated current: | -1.00 A |
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Technical parameters/number of channels: | 1 |
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Technical parameters/drain source resistance: | 0.09 Ω |
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Technical parameters/polarity: | P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 1 W |
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Technical parameters/drain source voltage (Vds): | 20 V |
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Technical parameters/Leakage source breakdown voltage: | 20 V |
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Technical parameters/breakdown voltage of gate source: | ±8.00 V |
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Technical parameters/Continuous drain current (Ids): | 2.35 A |
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Technical parameters/rise time: | 23.5 ns |
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Technical parameters/Input capacitance (Ciss): | 480pF @5V(Vds) |
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Technical parameters/rated power (Max): | 500 mW |
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Technical parameters/descent time: | 24 ns |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 500mW (Ta) |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 6 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23-6 |
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Dimensions/Length: | 3.1 mm |
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Dimensions/Width: | 1.5 mm |
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Dimensions/Height: | 1 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23-6 |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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NTGS3441T1
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-6 |
-3.05A,-30V功率MOSFET和肖特基二极管
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PMN50XP,165
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NXP | 功能相似 | TSOP-457 |
NXP PMN50XP,165 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -750 mV
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PMN50XP,165
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Nexperia | 功能相似 | TSOP-457 |
NXP PMN50XP,165 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.8 A, -20 V, 0.048 ohm, -4.5 V, -750 mV
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