Technical parameters/operating voltage: | 15 V |
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Technical parameters/breakdown voltage: | 17.6 V |
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Technical parameters/number of circuits: | 1 |
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Technical parameters/clamp voltage: | 25 V |
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Technical parameters/Maximum reverse voltage (Vrrm): | 15V |
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Technical parameters/peak pulse power: | 1500 W |
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Technical parameters/minimum reverse breakdown voltage: | 17.6 V |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 175 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -65 ℃ |
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Encapsulation parameters/installation method: | Through Hole |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | DO-201AD |
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Dimensions/Packaging: | DO-201AD |
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Physical parameters/operating temperature: | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Unknown |
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Other/Packaging Methods: | Bulk |
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Other/Manufacturing Applications: | General |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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1N6377G
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ON Semiconductor | 完全替代 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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1N6377G
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Littelfuse | 完全替代 | DO-201AD |
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器（单向） Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 峰值功率：1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 UL 497B，用于隔离回路保护 响应时间通常为 ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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