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Model FDP20N50F

Description 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 0.22 ohm, 10 V, 3 V

Brand: ON Semiconductor

Packaging TO-220-3

Delivery time

Packaging method Rail, Tube

Standard packaging quantity 1

Freight charges： In stock Freight rate：$13.00

Quantity：

Inventory(8680) Minimum order quantity(1)

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Technical parameters/number of pins:	3
Technical parameters/drain source resistance:	0.22 Ω
Technical parameters/dissipated power:	250 W
Technical parameters/threshold voltage:	3 V
Technical parameters/Input capacitance:	2550 pF
Technical parameters/drain source voltage (Vds):	500 V
Technical parameters/rise time:	120 ns
Technical parameters/Input capacitance (Ciss):	3390pF @25V(Vds)
Technical parameters/rated power (Max):	250 W
Technical parameters/descent time:	60 ns
Technical parameters/operating temperature (Max):	150 ℃
Technical parameters/operating temperature (Min):	-55 ℃
Technical parameters/dissipated power (Max):	250000 mW
Encapsulation parameters/installation method:	Through Hole
Package parameters/number of pins:	3
Encapsulation parameters/Encapsulation:	TO-220-3
Dimensions/Length:	10.67 mm
Dimensions/Packaging:	TO-220-3
Physical parameters/operating temperature:	-55℃ ~ 150℃
Other/Product Lifecycle:	Active
Other/Packaging Methods:	Rail, Tube
Other/Manufacturing Applications:	Power management, lighting, consumer electronics products
Compliant with standards/RoHS standards:
Compliant with standards/lead standards:	Lead Free

Alternative material

	Model	Brand	Similarity	Encapsulation	Introduction	Data manual
	FDA20N50F	ON Semiconductor	功能相似	TO-3-3	UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF
	FDA20N50F	Fairchild	功能相似	TO-3-3	UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。	PDF