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Technical parameters/frequency: | 100 MHz |
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Technical parameters/rated voltage (DC): | -35.0 V |
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Technical parameters/rated current: | -2.00 A |
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Technical parameters/halogen-free state: | Halogen Free |
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Technical parameters/polarity: | PNP, P-Channel |
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Technical parameters/dissipated power: | 625 mW |
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Technical parameters/gain bandwidth product: | 100 MHz |
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Technical parameters/breakdown voltage (collector emitter): | 35 V |
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Technical parameters/Maximum allowable collector current: | 2A |
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Technical parameters/minimum current amplification factor (hFE): | 100 @1.5A, 1.5V |
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Technical parameters/rated power (Max): | 625 mW |
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Technical parameters/DC current gain (hFE): | 100 |
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Technical parameters/operating temperature (Max): | 150 ℃ |
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Technical parameters/operating temperature (Min): | -55 ℃ |
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Technical parameters/dissipated power (Max): | 1000 mW |
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Encapsulation parameters/installation method: | Surface Mount |
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Package parameters/number of pins: | 6 |
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Encapsulation parameters/Encapsulation: | SOT-23-6 |
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Dimensions/Length: | 3.1 mm |
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Dimensions/Width: | 1.7 mm |
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Dimensions/Height: | 1 mm |
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Dimensions/Packaging: | SOT-23-6 |
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Physical parameters/materials: | Silicon |
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Physical parameters/operating temperature: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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Other/Product Lifecycle: | Active |
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Other/Packaging Methods: | Tape & Reel (TR) |
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Compliant with standards/RoHS standards: | RoHS Compliant |
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Compliant with standards/lead standards: | Lead Free |
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Compliant with the REACH SVHC standard: | No SVHC | <
| Model | Brand | Similarity | Encapsulation | Introduction | Data manual | |
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MBT35200MT2G
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-6 |
TSOP PNP 35V 2A
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NSS35200MR6T1G
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ON Semiconductor | 类似代替 | SOT-23-6 |
35 V ， 5 A ，低VCE （ sat）的PNP晶体管 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP Transistor
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